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Mosfet teóricos contra mosfets reales

A

antoniopa

Hola, quiero plantear una duda que me ha surgido para un diseño.

Quiero utilizarun mosfet copmo llave para pasar una corriente por una resistencia de potencia, y para cácular la zona de trabajo del mosfet, me he encontgrado que en los data sheet de los Mosfet no te dan información alguna sobre parametros teóricos tales como Vt, tensión de pueerrta minima, Constante K del mosfet,. y sin ellas ...
¿Como calculas el punto de trabajo del mosfet?

He intentado sacarlas en base a las curvas de trabajo de los data sheet pero he obtenido valores muy dispares, por ejemplo para k, desde 1.09 hasta 6.44, por lo que o algo hize mal o las curvas no son correctas ....
¿Alguien me puede hechar una mano?

Gracias.
 
Esto que te voy a decir no tiene nada de teoria que lo respalde pero:

Si lo que queres es que haga de llave digital, y es un canal-N, simplemente dale entre 10v y 15v al gate y problema solucionado
 
Gracias por responder, pero me gustariá asegurarme que no me voy a cargar el Mosfet cuando lo conecdte, por eso quiero saber cuanta corriente circulara por el y la caida de voltaje entre drenador y surtidor para hallar la potencia ...
en los data sheet del iRF540 pone que puede circular hasta 28 A en ciertas condiciones ...
 
Como dije antes, no tengo mucha teoria en mano, pero cuando diseño algo con mosfets los parametros que miro son:

1)- Voltaje maximo que soporta
2)- Potencia maxima que puede disipar (con disipador, sino ni cerca)
3)- Amperaje que puede circular por el

Teniendo en cuenta el punto 2, hago el balance entre el punto 1 y 3 para saber si el mosfet puede ser adecuado.

Despues hay otros factores como el rdsOn, los tiempos de switching, etc que influyen en la disipacion pero depende de a que frecuencia cambie el estado del gate.

Es todo lo que te podria decir, disculpas
 
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