duda acerca de la intensidad en mosfets

[black_flowers]

hola estoy intentando entender como funcionan los mosfets, una duda que tengo es:
en los bjt la intensidad máxima es la de saturación , ¿sucede lo mismo en los mosfets?

es decir la intensidad de saturación es mayor que la intensidad en la zona ohmnica?

un saludo.

 

[cosmefulanito04]

Los fets y los mosfet a diferencia de los Bjt se polarizan con tension y no por corriente, entonces para que el mosfet permita que a traves del canal pase la max. corriente posible, tenes que entregarle una tension en gate suficientemente grande, mas detalles fijate en la hoja de datos en donde establecen los limites.

 

[black_flowers]

bien en eso estamos de acuerdo, cuando yo aplico una tensión entre puerta y drenador (vamos a tomar el caso d un mosfet canal n), abro el canal que permite pasar corriente entre fuente y drenador. Pero a medida que aumenta la tensión entre drenador y surtidor el canal se estrangula y una vez estrangulado se satura. Mi pregunta es: ¿cuando está saturado... la intensidad es mayor que cuando no lo está? Porque da la sensación de que al estar el canal estrangulado la intensidad (en la saturación) debería ser muy pequeña.n o se si me explico.

 

[Hammer Facer]

No. Cuando está saturado, ya no puede aumentar más la corriente (es el límite).

http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Saturaci.C3.B3n

 

[black_flowers]

muy bien muchas gracias por ayudarme, sólo una última duda: la carga en los mosfets se conecta al source, o al drain? En los bjt yo coloco la carga entre colector y masa y así hago que cuando está en corte pase corriente por la carga y cuando está en saturación la carga está casi a tierra (a 0.2v de saturación del trt). Pero en este caso si hago el mismo montaje, cuando el transistor esté en saturación la carga estará a tierra pero estará pasando mucha intensidad (la intensidad de saturación) por el transistor y por lo tanto disipando mucha potencia.

¿cómo se conecta entonces la carga a un mosfet (canal n)?

un saludo.

 

[compupasion]

Hola, lo ultimo que pusiste no se entiende ó esta mal.
En definitiva, me imagino que usaras el mosfet para conmutacion, porque de otra manera tendrias que ponerte a estudiar bien circuitos de polarizacion.
Mosfet canal N , Surtidor a masa, la carga a drenaje y a positivo, gate a cero volt, no conduce , el mosfet esta abierto, voltage de gate por encima de VGth, el mosfet esta cerrado, tendra una r muy pequeña entre drain and source, ver datasheet. Como dijo un colega por ahi, en el gate no entra corriente ó despreciable, a bajas frecuencias, en modo switching, gate y el resto del chip tiene una capacidad que se debe cargar para llegar a Vgth, lo que consume corriente, pero incomparable con el caso de un bipolar.

Haaa!! ya creo que entendi lo que pusiste, que es una salida amp. tipo A.

Rdrain a positivo y a drain, source a masa, la carga a drain y a masa a travez de capacitor, y el gate, ahi vas a tener que estudiar las formulitas para polarizarlo.

 

[black_flowers]

discupla, hubo una errata en lugar de mosfet debí haber puesto btj, de todos modos dá igual , la duda acerca del mosfet está aclarada, muchas gracias compupasion