Pues igual has tirado a la basura MOSFETs en buen estado. Te explico, los mosfets son controlados por tensión y no por corriente a diferencia de los BJT. Además al estar la puerta separada eléctricamente del sustrato donde se forma el canal, entre puerta y surtidor/drenado se forman condensadores parásitos. Cuando aplicas un voltaje a puerta mayor (en valor absoluto) a Vgs(th) entonces el mosfet conmuta y pasa a conducir. Si levantas la puerta del transistor en ese momento, el condensador de puerta sigue cargado al último voltaje que se usó para cebarlo ya que al encontrarse la puerta con un camino de resistencia casi infinita (el aire) la única forma de que ese condensador se descargue es a través de la alta resistencia del óxido de silicio que separa la puerta del surtidor/drenador. Este efecto memoria (que de hecho es el principio básico de las memorias RAM dinámicas), permite que el mosfet siga conduciendo durante varios minutos mientras la puerta no se descargue. Por eso al levantar la gate el mosfet puede seguir conduciendo como un loco.
Este circuito que uso a menudo aprovecha el efecto memoria de de un condensador en la puerta de un mosfet:
https://www.forosdeelectronica.com/f27/argentina-cuidado-cuando-compran-testers-101879/#post824554
Ver el archivo adjunto 95825
Haciendo pruebas con ese circuito, el 2N7002 más normalito me controlaba sin problemas un ventilador de 80mm de 12V de PC durante unos 20 minutos de encendido.
Gracias al efecto memoria de los MOSFET se facilita el poder comprobarlos con un tester normal y corriente. En modo continuidad, en las pinzas del tester tienes 3V lo que es suficiente para hacer que los MOSFET conmuten. Entonces, supongamos un MOSFET N (para los P invertir las polaridades de las puntas del tester). Primero ponemos la punta negativa en el drenador y la positiva en el surtidor. Deberá aparecer una caida similar a un diodo normal (sobre los 400-600 mV). Esto verifica que la unión PN del drenador con el Substrato del canal, y que el substrato es accesible por el surtidor (el surtidor y el sustrato del canal por diseño están cortocircuitados). Si esta medida está bien, entonces pon la pinza negativa en el surtidor y aplicas momentaneamente la pinza positiva a la puerta. Ahora si repites la medida anterior tendrás un valor cercano a 0, de unos pocos milivoltios. Da igual cómo pongas las puntas entre drenador y surtidor ahora mismo, porque se comporta como una resistencia de pocos ohmios. Ahora pones el positivo en surtidor y el negativo del tester en la puerta momentaneamente. El transistor deja de conducir y puedes volver a medir el diodo Surtidor/Drenador. Obviamente estando el mosfet descargado en puerta, si mides negativo en surtidor y punta positiva en drenador, no va a medir nada. Si el MOSFET responde así, es que está en aparente buen estado y conmuta como debe.
Yo he llegado a quemarme al tacto al tocar un MOSFET, es más, ver como ese MOSFET echaba humo, parar el circuito, dejarlo enfriar, volver a encenderlo y el MOSFET funcionar como si nada hubiera pasado. Estos bichos son más duros de lo que aparentan.
De todas formas para que quede claro lo que te he explicado en el mensaje anterior, te muestro cómo conectarlo para que funcione:
Ver el archivo adjunto 99128
, pero tengo la duda inicial que no puedo controlar un motor su velocidad con el mosfet irf44n, osea si logro modificar su velocidad pero se queda sin fuerza puse los otros y los hice volar porque con carga subio la corriente ,es increible este mosfet ,:cabezon::cabezon::cabezon::cabezon::cabezon::cabezon::cabezon::cabezon:
