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Lo que hace es utilizar buffers (TR121-124) desde la etapa de ganancia de voltaje, utiliza 2 diodos en serie para obtener una pequeña polarizacion en ellos.Ya que estan hablando de amplificadores poco convencionales, por aquí tengo el diagrama de un amplificador Yamaha B2 que me llamó bastante la atención la forma en que maneja los MosFETs de salida.
Gracias por la aclatoriaPor cierto, utiliza FET de salida y no MOSFET.
Si quieren ver algo atipico, hay una pagina japonesa donde utilizan dispositivos SIT (2SK183) como elementos de salida.
Ese es el amplificador de Giovanni Stochino. Para analizar hay varias cosas:Un amplificador "Completo" como para mirar y analizar
Generalmente en amplificadores con salidas MOSFETs son innecesarios, debido a la alta impedancia que presentan, en diseños de alta potencia puede que sean necesarios.Drivers independientes para cada MOSFET.
Como lo logra?Slew Rate algo mas de 300VuS
Esta acoplado en DC. Generalmente en amplis acoplados asi, el limite inferior lo especifican como DC.Respuesta teórica a la frecuencia, ¿ Límite inferior ?
Un servo de DC le hubiese agregado (en el que justamente se utilizan amplificadores VFB).Diseño de 1997
No lo simulé (Todavía), pero posiblemente el elevado Slew Rate necesite esa disposición......Generalmente en amplificadores con salidas MOSFETs son innecesarios, debido a la alta impedancia que presentan, en diseños de alta potencia puede que sean necesarios.......
! Hasta que alguien se dio cuenta ¡...Esta acoplado en DC. Generalmente en amplis acoplados asi, el limite inferior lo especifican como DC.
Con tanta corriente de reposo, no implica un mayor calentamiento de la etapa?Otro detalle es la alta corriente de biass, 300mA.
Con tanta corriente de reposo, no implica un mayor calentamiento de la etapa?
Eso me recuerda a los amplificadores Technics "New Class A" que mantenian una corriente de polarización constante para asegurarse de que el transistor "este listo" al momento de la conmutación, se obtenía una excelente calidad a cambio de una gran temperatura.Sip, como 7W por transistor, pero te garantiza muy baja distorsión de cruce.
No lo creo, ya que la velocidad final del ampli va a estar dada por la etapa mas "lenta". La etapa de salida no esta compensada, lo que entra, sale. No tiene ninguna limitacion en velocidad, salvo la del propio transistor.No lo simulé (Todavía), pero posiblemente el elevado Slew Rate necesite esa disposición.
! Hasta que alguien se dio cuenta ¡
En diyaudio hay un post, voy a ver si lo miro por arriba a ver que dicen.Respecto a las opiniones, se comenta algo sobre los agudos excepcionales, pero no pude encontrar mas data
El dato interesante es saber con que corriente se polariza al VAS.Otro detalle es la alta corriente de biass, 300mA.
El detalle es que el diodo no toca el FET para nada, solo lleva la señal proveniente del driver y de ahi al zener que a su vez alimenta la base del BJT Solo me quedan 2 opciones posibles:A simple vista pareciera protección. Generalemente en FETs o MOSFETs se coloca un zener entre G y S, de manera de que por estatica no se perfore la aislación y se estropee el transistor. Hay una limitación de corriente por Q5/7.
El detalle es que el diodo no toca el FET para nada, solo lleva la señal proveniente del driver y de ahi al zener que a su vez alimenta la base del BJT Solo me quedan 2 opciones posibles:
A) Los transistores cubren un umbral que los FETs no pueden a cierto nivel.
B) Marketing, marketing, marketing
No me convence que eso actúe como protección. La resistencia de 1r5 en los emisores no me deja verlo de esa manera. ¿Tenés el esquema completo, Rat? (a ver cómo trabaja el resto del ampli).Por eso mismo, la supuesta protección es llevada a cabo por el diodo+zerner+transistor. Es decir, la tensión Vgs maxima nunca va a poder ser mayor que 0.6V+3.8V+0.6V ~ 5V.