Medicion de mosfet

[Scooter]

He visto a gente que media continuidad D-S y tenia que dar que no, después "cargaba la puerta" con el probador de diodos y rápidamente volvía a medir continuidad y entonces tenía que dar que si...
Mas o menos así se podrían medir, pero es un tanto bestia.

 

[maruct]

Hola buen dia a los participantes del foro.
Quiero comentar un detalle ocurrido durante una prueba de mosfet realizada con un multímetro digital, en sección diodo.
El detalle es el siguiente.
El transistor en cuestión es un G20N50 , nuevo. aclaro además que lo compare con otro y encontré el siguiente comportamiento en la prueba .
La prueba es la comentada en videos de varios técnicos en la cual se coloca cable negativo en S y positivo en G para cargar la compuerta y arroja como resultado en condiciones correctas del transistor una lectura entre D y S , la que desaparece cuando uno descarga el G al cortocircuitar las patas o polarizar inverso G con respecto a S.
Ahora bien el detalle en cuestión que me intriga, (transistor nuevo) es que al cargar el G y controlar entre D y S la lectura no persiste como en otros, es decir la carga aparece y en pocos segundos desaparece y en el otro transistor que probé si persiste el valor cargado por periodos prácticamente infinito, creo.
Alguien me puede aclarar por que ocurre esto o si es que este transistor esta defectuoso. varios en estas mismas condiciones los he colocado y aparentemente funcionan, aun no reventaron. están colocados en una fuente conmutada de 350w 50v. de esas metálicas.
un gran abrazo y desde ya muchas gracias por la colaboración que puedan brindarme.
atte. miguel

 

[Daniel Lopes]

Hola buen dia a los participantes del foro.
Quiero comentar un detalle ocurrido durante una prueba de mosfet realizada con un multímetro digital, en sección diodo.
El detalle es el siguiente.
El transistor en cuestión es un G20N50 , nuevo. aclaro además que lo compare con otro y encontré el siguiente comportamiento en la prueba .
La prueba es la comentada en videos de varios técnicos en la cual se coloca cable negativo en S y positivo en G para cargar la compuerta y arroja como resultado en condiciones correctas del transistor una lectura entre D y S , la que desaparece cuando uno descarga el G al cortocircuitar las patas o polarizar inverso G con respecto a S.
Ahora bien el detalle en cuestión que me intriga, (transistor nuevo) es que al cargar el G y controlar entre D y S la lectura no persiste como en otros, es decir la carga aparece y en pocos segundos desaparece y en el otro transistor que probé si persiste el valor cargado por periodos prácticamente infinito, creo.
Alguien me puede aclarar por que ocurre esto o si es que este transistor esta defectuoso. varios en estas mismas condiciones los he colocado y aparentemente funcionan, aun no reventaron. están colocados en una fuente conmutada de 350w 50v. de esas metálicas.
un gran abrazo y desde ya muchas gracias por la colaboración que puedan brindarme.
atte. miguel

Hola caro don maruct , lo que se pasa es que la capacitancia intrinsica que hay entre el Gate y Sourse si descarga rapidamente por alguna resistencia parasictica ( esa interna ) existente entre lo Gate y Sourse dese transistor MosFet.
En otros transistores MosFet que "aguantam" muuuucho mas tienpo con su canal Dreno y Sourse cerriados seguramente tienem esa resistencia parasictica presente entre Gate Y Sourse de valor Ohmico muuuucho major , asi NO descargando la capacitancia del Gate tan prematuramente.
!Suerte!

 

[tiovik]

Hola buen dia a los participantes del foro.
Quiero comentar un detalle ocurrido durante una prueba de mosfet realizada con un multímetro digital, en sección diodo.
El detalle es el siguiente.
El transistor en cuestión es un G20N50 , nuevo. aclaro además que lo compare con otro y encontré el siguiente comportamiento en la prueba .
La prueba es la comentada en videos de varios técnicos en la cual se coloca cable negativo en S y positivo en G para cargar la compuerta y arroja como resultado en condiciones correctas del transistor una lectura entre D y S , la que desaparece cuando uno descarga el G al cortocircuitar las patas o polarizar inverso G con respecto a S.
Ahora bien el detalle en cuestión que me intriga, (transistor nuevo) es que al cargar el G y controlar entre D y S la lectura no persiste como en otros, es decir la carga aparece y en pocos segundos desaparece y en el otro transistor que probé si persiste el valor cargado por periodos prácticamente infinito, creo.
Alguien me puede aclarar por que ocurre esto o si es que este transistor esta defectuoso. varios en estas mismas condiciones los he colocado y aparentemente funcionan, aun no reventaron. están colocados en una fuente conmutada de 350w 50v. de esas metálicas.
un gran abrazo y desde ya muchas gracias por la colaboración que puedan brindarme.
atte. miguel

Aparte de lo que dice mas arriba Daniel Lopes, algunos mosfet (sobretodo lo de potencia) poseen un extraño combo de diodos y zeners entre gate y source. El mecanismo de protección evita que la tensión Vgs tome valores demasiado destructivos y sirve ademas como purga de las tensiones estáticas que puedan acumularse en la capacidad entre gate y source (tal capacidad puede llegar a algunos nF!).
Ojo que esto es independiente del diodo entre drain y source que es intrínseco a la estructura interna del transistor mosfet. Tal combo de diodos y zeners esta agregado al chip del transistor.

 

[maruct]

Hola Daniel y tiovik. el comentario o explicaciún es exelente aclara mucho mis desconocimientos y algunos olvidos de los mismos. lo único que me queda es solo definir una cosa. aunque ocurra esto no significa que el semiconductor este mal. lo puedo usar con tranquilidad?. intuyo que si, pero ustedes seguramente son mas capacitados que yo y de experiencia que yo entonces los bombardeo con preguntas y me da mucha alegría leer el comentario generoso que realizan.
En este momento estoy asociando su teoria con otro suceso similar en otro fet igual pero que estaba colocado en uso. Aparentemente según el testeo comentado esta bien pero los valores que dan el multímetro al poner en carga o conducción la compuerta da valor mucho mas bajo que los nuevos, creo que en ves de 500 o cerca da mucho menos algo de 300 y también menos. creo que deberá ser el mismo principio de reacción de materiales con carga.
queridos amigos les agradezco muy mucho por lo aportado.
un gran abrazo.

 

[Daniel Lopes]

!Los diodos intrinsicos que hay entre Dreno y Sourse ya es una ejelente "dica" para saper si ese transistor es bueno o no , o sea si NO lograr medir ese diodo con su multitester seguramente lo transistor MosFet sob teste ya paso a una vida mejor (RIP) !
Despues basta chequear la carga del Gate y Sourse para lograr cerriar lo canal Dreno y Sourse , si todo OK pudemos considerar lo transistor como bueno para uso futuro.

 

[tiovik]

!Los diodos intrinsicos que hay entre Dreno y Sourse ya es una ejelente "dica" para saper si ese transistor es bueno o no , o sea si NO lograr medir ese diodo con su multitester seguramente lo transistor MosFet sob teste ya paso a una vida mejor (RIP) !
Despues basta chequear la carga del Gate y Sourse para lograr cerriar lo canal Dreno y Sourse , si todo OK pudemos considerar lo transistor como bueno para uso futuro.

Atenti que algunos mosfets (el MTP3055E es un ejemplo de esto) tienen en paralelo con el diodo entre drain y source un zener de potencia de aproximadamente 63 V. La "endurecieron" lindo a la versión mosfet del entrañable 2N3055 (ambos tienen especificaciones similares en cuanto a manejo de potencia)...

 

[maruct]

Me agrada el comentario pero debo madurar un poca la idea, la teoría. voy a realizar otras pruebas convincentes para poder dilucidar esos conceptos que me imparten y en cuanto tenga una idea definida que pueda despertar mi seguridad de haber interpretado el concepto de funcionalidad física o comportamiento del componente. voy a ingresar al comentario para complementar la opinión para que ustedes la evalúen y corrijan cualquier error que incurra. nuevamente les agradezco su aporte y si consideran oportuno algún comentario mas será bienvenido.
un gran abrazo a ambos.
Perdón por la ansiedad pero realice la prueba en el g20n50 usado y aparentemente bien, Creo veamos los expertos.

Hice lo siguiente: G D+ S- = infinito
D- S+ = 581 (diodo)
G+ S- = disparo
D+ S- = 346
D- S+ = 087

 

[Daniel Lopes]

Me agrada el comentario pero debo madurar un poca la idea, la teoría. voy a realizar otras pruebas convincentes para poder dilucidar esos conceptos que me imparten y en cuanto tenga una idea definida que pueda despertar mi seguridad de haber interpretado el concepto de funcionalidad física o comportamiento del componente. voy a ingresar al comentario para complementar la opinión para que ustedes la evalúen y corrijan cualquier error que incurra. nuevamente les agradezco su aporte y si consideran oportuno algún comentario mas será bienvenido.
un gran abrazo a ambos.
Perdón por la ansiedad pero realice la prueba en el g20n50 usado y aparentemente bien, Creo veamos los expertos.

Hice lo siguiente: G D+ S- = infinito
D- S+ = 581 (diodo)
G+ S- = disparo
D+ S- = 346
D- S+ = 087

Cargue la junción Gate y Sourse con una pequeña fuente DC de alguns voltios (incluso puede sener una bateria de 9V ) y seguramente mides "000" entre Dreno y Sourse (canal totalmente cerriado) independente de la polaridad de las puntas de prueba que conecte en eses terminales.
!Suerte!