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En un Boost no veo la necesidad de que sea absolutamente cuadrada y hasta creo que según la frecuencia y el núcleo empleado hasta podría mejorar el rendimiento aumentando el ancho del pulso dando mayor tiempo de carga al inductor L.
Te conviene un circuito que te permita variar el ancho del pulso para poder luego ajustarlo a lo que necesitas
De nada , si fuera una etapa simétrica estilo half bridge o full bridge si sería necesaria la simetría.
Ahí Panda te subió uno dónde podés variar el ciclo de trabajo , simulalo y armalo para verificarlo , no te olvides de la resistencia de carga (podría ser un potenciómetro en Multisim que no se queman jajaja) para ver cómo evoluciona la corriente de salida Vs la tensión y la forma de onda (que va a ser fea )
De nada
Hola , R3 está de mas, iría una R fija de 30 Ohms y en anti-paralelo un díodo ultra rápido , o sea carga el Gate con 30 Ohms y lo descarga rápido con un díodo ultra rápido.
Entre Source y Drain debería ir un díodo protector , u otro Mosfet protegido.
Una R potenciómetro de 100 Ohms en serie con Amperímetro iría en paralelo con Cout simulando la carga.
Para bajar la frecuencia achicá C3 a 0,01.
Para probar quitá C2 .
Zipeá la simulación y subila.
Te decía para probarlo y ver por que se apaga . . .
La ondulación se refiere a la tensión de rizado, esa se establece por ejemplo y dependiendo del uso en 100mV, o 50mV, ese es el rizado que queda luego del filtrado
Das vuelta la fórmula y ponés lo que tenés cómo datos y lo que querés saber cómo incógnita !
Pero ese valor de 100 mV , o 10 mV o 5 mV o 1 mV lo fijás vos en base a lo que necesites , según cuan sensible al ruido lo que conectes allí.