Lo que me di cuenta es que el Mosfet no encendia entonces me lei este articulo:
Entender la resistencia de Estado-Encendido del Drenaje a la Fuente.
El presente informe técnico cubre algunos detalles útiles con respecto a un parámetro común del MOSFET conocido como resistencia en el Estado-Encendido (On-State).
Una de las especificaciones más importantes en hojas de datos de MOSFET discretos es la resistencia del drenaje de la Fuente en el Estado-Encendido, abreviado como RDS (on). Esta idea de RDS (on) parece tan agradablemente simple: cuando el FET está en corte, la resistencia entre la Fuente y Drenaje es extremadamente alta, tan alta que suponemos que circula cero corriente. Cuando del FET´S la Puerta hacia Fuente (VGS) supera la tensión umbral (VTH), está en "Estado-Encendido", y el Drenaje y la Fuente están conectadas por un canal con una resistencia igual a RDS (on). Sin embargo, si usted está familiarizado con el comportamiento eléctrico real de un MOSFET, fácilmente deben reconocer que este modelo no va de acuerdo con los hechos.
En primer lugar, la FET no tiene realmente un "estado." Cuando no está en corte (estamos ignorando la conducción subliminal aquí), puede ser que el FET se encuentre en la región de tríodo o en la región de saturación. Cada una de estas regiones tiene su propia relación de corriente – voltaje. Sin embargo, podemos asumir con seguridad que "Estado-Encendido" corresponde a la región tríodo porque RDS (on) es relevante en el contexto del interruptor del circuito, no en amplificadores de pequeña señal ej., para un driver de un motor o controlar un relé — se emplean las regiones de corte y tríodo.
Continua mostrando formulas y hablando particularmente del Mosfet NDS351AN donde va haciendo varias comparaciones y explicaciones. Continua:
La tensión de umbral típica para esta parte se da como 2.1 V. Si se mira rápidamente en el spec v y muy rápidamente en la especificación del RDS (on), se podría pensar que puede conducir este FET con una señal de lógica V 3.3 y lograr el rendimiento de resistencia en estado anunciado. Esto sería un poco imprudente teniendo en cuenta que la hoja de datos especifica claramente el voltaje de compuerta a la fuente que corresponde a la especificación del RDS (on); sin embargo, uno o dos puntos RDS (on) / VGS no transmiten el aumento extremo en la resistencia en el estado que se aplica a tensiones de gate-source que están realmente muy por encima de VTH típico. La moraleja de la historia son:
1) Recordar que la resistencia (es decir, tríodo-región) en Estado-Encendido (On-State) depende de VGS
2) Obtener detallada información que se refiere a la trama del RDS (on) vs VGS.
Además, en el Estado-Encendido la resistencia no es igual a la resistencia expresada por la ecuación de tríodo-región dada anteriormente. Este último es la resistencia de canal del MOSFET, mientras que en el estado resistencia incluye otras fuentes de resistencia, enlace de los cables, la capa epitaxial, etcétera. Características de resistencia están influenciadas por la tecnología de fabricación, y las contribuciones respectivas de los diferentes componentes de RDS (on) varían según el rango de tensión previsto para un dispositivo determinado.
Dos factores adicionales que afectan la resistencia Estado-Encendido (On-State) son temperatura de ensambladura y desagüe actuales, como se muestra en estas dos parcelas de la hoja de datos de NDS351AN.
Así que si necesita hacer alguna compra y debe pasar algún tiempo leyendo unas hojas de datos antes de encontrar el MOSFET adecuado para una aplicación particular.
Entonces me fije que la resistencia en el pcb que correspondía a el CS2N60F era de 1.5 Ω en el pcb da 1.9 Ω en el datasheet dice lo siguiente:
RDS(ON) VGS=10V, ID=1.3A valor Típico de la resistencia no especificado Máximo 4.6 Ω
En la figura 1 se ve claramente la relación entre la resistencia y el amperaje. Aunque el fabricante dice que entrega 2.1 A en la figura 1 estaría entregando a 4 Ω casi 2.5 amperes y a 4.6 Ω con un VGS de 10v estaría entregando unos 3 amperes. La fuente dice entregar unos 400w por lo tanto se necesitaría 1.33 a para cumplir con esta condición y la resistencia debería ser de unos 3.5 Ω siendo VGS=10V. Así que Drain-Source On Resístanse RDS(ON) VGS=10V, ID=1.3A 1.5 Ω puede ser el valor Típico de la resistencia, sumándole la resistencia adicional del circuito, ya que en la hoja de datos del componente no está especificado. En esta condiciones la fuente estaría entregando unos 390w y tendríamos 2 Ω mas que se estarían generando por diferentes circunstancias.
Para el cambio del CS2N60F tengo:
2SK4525 Drain-Source On Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=3A valor Típico de la resistencia 0.9 Ω Máximo 1.25 Ω
CS6N60 Drain-Source On Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=3.1A valor Típico de la resistencia no especificado Máximo 1.5 Ω
KHB7D0N65P1 Drain-Source On Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=3.75A valor Típico de la resistencia 1.2 Ω Máximo 1.4 Ω
Lo que concluyo es que todos los Mosfet que tengo tienen un valor máximo muy bajo para aplicarlo en este circuito dado que tengo 2 Ω de resistencia que se generan del circuito mismo, este valor estaría sobrepasando el valor máximo de todos ellos. Siempre y cuando la relación mostrada en la Figura 1 se cumpla.
Para los MJE13007 he revisado al menos tres placas de diferentes fabricantes y lo que vi que es una configuración común en todas las fuentes, tanto las resistencias 2k7, 1 Ω, 1N4148, capacitores 10uF 50v como los diodos Fast Recovery Rectifiers que estos últimos pueden variar en su valor dependiendo de la potencia que entregue la misma. Figura 2.
