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Historia del Audio en Argentina

Probablemente 400 Ohms en corriente continua es un valor correcto , estimado Dr.

Según me enseñaron, a principio de los 80´s, las tolerancias en el dopado de las junturas eran cercanas al 60%.
En estos semiconductores, epitaxiales, la migración del elemento sustrato base, Ge++, es muy posterior al deterioro de la propia juntura por el ataque oxidante del material dopante.
Algunos autores (R. B. Adler; R. L. Longini, et al.) ya advertían, circa 1969, que el problema con las junturas por capas era e estrechamiento en el dopado de In+, durante la fabricación, haciendo que algunos transistores PNP fueran "más PNP" que otros, aún dentro de la misma oblea de Ge-.
Ser "más PNP" sólo implica menor excursión en el valor Vce.

Como corolario, el transistor PNP de germanio polarizado por el método de difusión electroquímica envejece con o sin uso.

Saludos.
 
Medí resistencia con el analógico...y los resultados son:
Colector P - Emisor N --> 20K
Al reves --> 1K5
Estos es con la polaridad de las puntas corregida.
Rbe = Rbc = 450 ohms...mas o menos.
El tester anda OK pero el potenciómetro de ajuste del 0 está sucio y cuesta ajustarlo...
 
Tengo 4 unidades genuinas del AD149 de un antiguo amplificador Philips 590, que me había regalado entre otras cosas un muchacho hace como 10 años atrás. Nunca les dí finalidad, ya que cuando los medí en su momento creo recordar que me arrojaban lecturas algo dudosas. Dispongo varias cosas del amplificador, como los condensadores de acoplo de 1800 uF x 40 V y el de fuente de 4000 uF x 40 V.

Cuando pueda, voy a medirlos detenidamente. Voy a ver si los polarizo para chequear su estado y lo que pueda hacer con ellos, si llegan a estar en condiciones. Al menos, para hacer algo, precisaría funcionen 2 de los 4 que dispongo.

Es probable que tenga que recurrir a mi viejo Kaise SK-110, como están sugiriendo hacer!!!

Ver el archivo adjunto 321583

Ver el archivo adjunto 321585

Ver el archivo adjunto 321586

Por alguna razón, veo que el espejo del cuadrante del Kaise está algo desplazado :mad::mad::mad:.
Si no usas ese Philips 590 avísame
 
Hola estimado Dr.,

En mi opinión, esos resultados son coherentes con transistores en buen estado, pero con junturas normalmente envejecidas.

Medí 4 transistores en un amplificador actualmente en uso y desde hace medio siglo.
Arrojan resultados similares:

RCE= >21-22 KOhm.
REC= >27 KOhm.
RBE= 500-550 Ohm.
REB= 400-550 Ohm.

Medición con KAISE SK 1000FET (+-1,5% ).

Medición con SONY-TEK 370, 10 transistores NOS que tengo de la misma época están 70/75 % dentro de valores nominales, bajo SOAR (+12; -15%); evidenciando, sí, una gran dispersión entre las 10 unidades, sobre todo en la ganancia y la figura de ruido.

Las condiciones funcionales bajo carga y estrés térmico ya son otra cuestión.

Saludos.
 
Si no usas ese Philips 590 avísame

Estaba levemente canibalizado cuando me lo regalaron. Yo le dí el mordisco más grande, creo :ROFLMAO:. Tendría que buscar en el baúl de los recuerdos para ver qué haya quedado. El baúl es literal y real, donde van a parar todas esas partes que me dan lástima tirar (síndrome de Diógenes potenciado :ROFLMAO::ROFLMAO::ROFLMAO:). Estoy juntando data y mentando un circuito para darle vida en clase A push pull a esos AD149 (para mantener acotada la disipación). Nada brutal (como para no torturar esas reliquias). Se me ocurrió algo muy simple como el que armé recientemente empleando un LM317 operando en SRPP. Es decir, con los AD149 debería emplear los LM337 (de los que tengo en encapsulado TO-3). Voy a ver si encuentro un transistor de germanio de señal para excitar esos AD149 en modo Darlington o en CFP (dependiendo qué encuentre entre mis porquerías, si es que no los volé a la basura). Caso contrario, haré un híbrido Si-Ge, pero mi idea era verificar espectro de distorsión netamente del Ge para contrastar contra lo que medí de los mosfets en similar configuración, para ver qué diferencia de carácter podrían tener. En un rato subo lo que tengo en mente hacer, si puedo.
 
Estaba levemente canibalizado cuando me lo regalaron. Yo le dí el mordisco más grande, creo :ROFLMAO:. Tendría que buscar en el baúl de los recuerdos para ver qué haya quedado. El baúl es literal y real, donde van a parar todas esas partes que me dan lástima tirar (síndrome de Diógenes potenciado :ROFLMAO::ROFLMAO::ROFLMAO:). Estoy juntando data y mentando un circuito para darle vida en clase A push pull a esos AD149 (para mantener acotada la disipación). Nada brutal (como para no torturar esas reliquias). Se me ocurrió algo muy simple como el que armé recientemente empleando un LM317 operando en SRPP. Es decir, con los AD149 debería emplear los LM337 (de los que tengo en encapsulado TO-3). Voy a ver si encuentro un transistor de germanio de señal para excitar esos AD149 en modo Darlington o en CFP (dependiendo qué encuentre entre mis porquerías, si es que no los volé a la basura). Caso contrario, haré un híbrido Si-Ge, pero mi idea era verificar espectro de distorsión netamente del Ge para contrastar contra lo que medí de los mosfets en similar configuración, para ver qué diferencia de carácter podrían tener. En un rato subo lo que tengo en mente hacer, si puedo.
Por ahí conseguirte un Philips nacional 526 era muy similar, pero comparando con los holandeses las placas nacionales eran muy malas
 
Esto es lo que tengo en mente, en bosquejo muy preliminar todavía. Sencillito como para pruebas. Es muy probable y debido a la dispersión y modo de limitar corriente de base del Darlington así formado, deba corregir en montaje valores finales del trimpot y de R4 (nada imposible para primeras pruebas). Estoy mirando datasheets para analizar detalladamente tema disipación, así que es probable que pueda corregir sobre ese esquema en función de los disipadores ya mecanizados para TO-3 que cuento para las pruebas (tienen algo de 1,15 °C / W).

De todos modos, cuando lo tenga más masticado, trataré de compartirlo en un thread específico.

Esquema preliminar AD149 con LM337.jpg

La polaridad de C2 está invertida :ROFLMAO:. Es la falta de costumbre con estos PNP!!!. Lo interesante es que con el LM337 así configurado, salgo de los 45 o 50 dB de PSRR para entrar en el rango de los 70 o más dB. Muy silencioso con una fuente simplona nomás y sin mucho filtrado. En simulación arrojaba cerca de 80 dB, pero hay que chequearlo, porque no le creo mucho al modelo del regulador.
 
Última edición:
RCE= >21-22 KOhm.
REC= >27 KOhm.
Ese es el problema que yo tengo...
Tus mediciones de Rce y Rec son mas o menos similares, pero las mías son muy diferentes:
Colector P - Emisor N --> 20K
Al reves --> 1K5
Medido con un Hansen AT-1020
44fd3b4420fd5bfdcd372f55135dd1bb_1355.jpg
 
Estaba levemente canibalizado cuando me lo regalaron. Yo le dí el mordisco más grande, creo :ROFLMAO:. Tendría que buscar en el baúl de los recuerdos para ver qué haya quedado. El baúl es literal y real, donde van a parar todas esas partes que me dan lástima tirar (síndrome de Diógenes potenciado :ROFLMAO::ROFLMAO::ROFLMAO:). Estoy juntando data y mentando un circuito para darle vida en clase A push pull a esos AD149 (para mantener acotada la disipación). Nada brutal (como para no torturar esas reliquias). Se me ocurrió algo muy simple como el que armé recientemente empleando un LM317 operando en SRPP. Es decir, con los AD149 debería emplear los LM337 (de los que tengo en encapsulado TO-3). Voy a ver si encuentro un transistor de germanio de señal para excitar esos AD149 en modo Darlington o en CFP (dependiendo qué encuentre entre mis porquerías, si es que no los volé a la basura). Caso contrario, haré un híbrido Si-Ge, pero mi idea era verificar espectro de distorsión netamente del Ge para contrastar contra lo que medí de los mosfets en similar configuración, para ver qué diferencia de carácter podrían tener. En un rato subo lo que tengo en mente hacer, si puedo.
Diego los AC107 108 y AC 187 188 es fácil que los tengas y además de encapsulado metálico, son robustos como excitadores.
Un abrazo.
 
Ese es el problema que yo tengo...
Tus mediciones de Rce y Rec son mas o menos similares, pero las mías son muy diferentes:

Medido con un Hansen AT-1020
44fd3b4420fd5bfdcd372f55135dd1bb_1355.jpg

Así lo entiendo también Dr,
Tal valor evidencia algún problema estructural.
Quiero decir en el aspecto mecánico y/o químico.

Cuando arranca la oxidación de Ge++, se convierte en Ge+, pero el valor resistivo en corriente continua tiende a subir, al contrario que en tus transistores.
Aún así, el transistor amplificará con, con baja IBE, aunque en tal circunstancia el transistor fallará al aplicar gran señal.
(El típico "hace años funcionaba, y hoy tiene olor a quemado"

La oxidación intensiva arranca en las microfisuras del epoxy aislante de los terminales. Tarda años en dañar el sustrato, y es la diferencia de mayor peso entre transistores de grado militar u hospitalario y los de venta al público.

También en inoportunas fugas entre las dos piezas del encapsulado (grietas en el soldado entre el "pot & cap"), pero ahí la falla es catastrófica con corrientes de apenas 0.1 Amper. El sustrato se daña en minutos.

Algo que antes se tomaba en cuenta era evitar los golpes, pues los encapsulados TO-3 no estaban rellenos de componentes siliconados para amortiguar los golpes.
En caídas desde un metro ya aparecen leves pero mensurables desplazamientos entre los terminales internos.

¿Probaste a medir el hFE? ¿Son muy dispares los resultados?

Si te dan mucha guerra, tengo 10, solo conectados para estas mediciones.
No los usaré, si me indicás como hacértelos llegar son tuyos.

Germánicos saludos!
 
Así lo entiendo también Dr,
Tal valor evidencia algún problema estructural.
Quiero decir en el aspecto mecánico y/o químico.

Cuando arranca la oxidación de Ge++, se convierte en Ge+, pero el valor resistivo en corriente continua tiende a subir, al contrario que en tus transistores.
Aún así, el transistor amplificará con, con baja IBE, aunque en tal circunstancia el transistor fallará al aplicar gran señal.
(El típico "hace años funcionaba, y hoy tiene olor a quemado"

La oxidación intensiva arranca en las microfisuras del epoxy aislante de los terminales. Tarda años en dañar el sustrato, y es la diferencia de mayor peso entre transistores de grado militar u hospitalario y los de venta al público.

También en inoportunas fugas entre las dos piezas del encapsulado (grietas en el soldado entre el "pot & cap"), pero ahí la falla es catastrófica con corrientes de apenas 0.1 Amper. El sustrato se daña en minutos.

Algo que antes se tomaba en cuenta era evitar los golpes, pues los encapsulados TO-3 no estaban rellenos de componentes siliconados para amortiguar los golpes.
En caídas desde un metro ya aparecen leves pero mensurables desplazamientos entre los terminales internos.

¿Probaste a medir el hFE? ¿Son muy dispares los resultados?

Si te dan mucha guerra, tengo 10, solo conectados para estas mediciones.
No los usaré, si me indicás como hacértelos llegar son tuyos.

Germánicos saludos!

Pero yo los necesito solo para disfrutarlos un ratito, nada más!!! :unsure::unsure::unsure:. No creo que los pobrecitos sepan tanto de su ADN nide sus penurias por las que pasaron, para alegrarme el día con un viejo LP de Primavera en Alta Tensión!!!. Mientras respiren unos minutos más, creo que me podrán sacar alguna nostálgica sonrisa!!! :ROFLMAO::ROFLMAO::ROFLMAO:

Diego los AC107 108 y AC 187 188 es fácil que los tengas y además de encapsulado metálico, son robustos como excitadores.
Un abrazo.

Es probable que tenga esos, el problema será encontrarlos!!! :unsure::unsure::unsure:. Abrazos para ambos
 
Última edición:
Pero yo los necesito solo para disfrutarlos un ratito, nada más!!! :unsure::unsure::unsure:. No creo que los pobrecitos sepan tanto de su ADN nide sus penurias por las que pasaron, para alegrarme el día con un viejo LP de Primavera en Alta Tensión!!!. Mientras respiren unos minutos más, creo que me podrán sacar alguna nostálgica sonrisa!!! :ROFLMAO::ROFLMAO::ROFLMAO:



Es probable que tenga esos, el problema será encontrarlos!!! :unsure::unsure::unsure:. Abrazos para ambos
Los amplificadores de germanio son muy buscados y más si tienen preamplificador de germanio.
Si tienen un Philips 506 526/27 ocupado lugar y juntando tierra avisen🤣
 
Última edición:
Los transistores de Ge de baja potencia que pude encontrar como para excitar los AD149 son para aplicación de RF. Encontré 1 unidad del 2SA15, 2 unidades del 2SA12 y 2 unidades del 2SA101. Más allá de saber en qué condiciones puedan estar (ya que aún no los medí), el mayor inconveniente que les veo es que la Pc está en no más de 60 a 80 mW y la corriente de colector máxima entre 10 a 15 mA, según el caso. La temperatura máxima de 75 °C.

Antes de medir algo, veo medio imposible ajustar los nominales e iniciales 417 mA de reposo para los AD149. Es probable que deba bajar la expectativa inicial de alcanzar los 2,3 W sobre 8 ohmios (como peor condición), en función del puñado de componentes que disponía para jugar.

Veré qué consigo como para recalcular para abajo en potencia sobre parlante (tipo 1W), ya que con ese requisito de potencia creo podrían cerrarme mejor los cálculos para lo que dispongo.
 
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