krlosss
Me autopercibo Miembro masculino.
Probablemente 400 Ohms en corriente continua es un valor correcto , estimado Dr.
Según me enseñaron, a principio de los 80´s, las tolerancias en el dopado de las junturas eran cercanas al 60%.
En estos semiconductores, epitaxiales, la migración del elemento sustrato base, Ge++, es muy posterior al deterioro de la propia juntura por el ataque oxidante del material dopante.
Algunos autores (R. B. Adler; R. L. Longini, et al.) ya advertían, circa 1969, que el problema con las junturas por capas era e estrechamiento en el dopado de In+, durante la fabricación, haciendo que algunos transistores PNP fueran "más PNP" que otros, aún dentro de la misma oblea de Ge-.
Ser "más PNP" sólo implica menor excursión en el valor Vce.
Como corolario, el transistor PNP de germanio polarizado por el método de difusión electroquímica envejece con o sin uso.
Saludos.
Según me enseñaron, a principio de los 80´s, las tolerancias en el dopado de las junturas eran cercanas al 60%.
En estos semiconductores, epitaxiales, la migración del elemento sustrato base, Ge++, es muy posterior al deterioro de la propia juntura por el ataque oxidante del material dopante.
Algunos autores (R. B. Adler; R. L. Longini, et al.) ya advertían, circa 1969, que el problema con las junturas por capas era e estrechamiento en el dopado de In+, durante la fabricación, haciendo que algunos transistores PNP fueran "más PNP" que otros, aún dentro de la misma oblea de Ge-.
Ser "más PNP" sólo implica menor excursión en el valor Vce.
Como corolario, el transistor PNP de germanio polarizado por el método de difusión electroquímica envejece con o sin uso.
Saludos.