tacatomon: Sobre el tema de las resistencias de gate, Si, hay una forma de calcularlas aproximadamente, pero no he obtenido buenos resultados de ese metodo. El problema que se da es que la capacidad gate-source de los mosfets es constante, pero la capacidad gate-drain no lo es. Cuando hay que conmutar el mosfet, la principal capacidad de "derrotar" no es la capacidad gate-source, sino la gate-drain, por el efecto miller, que hace parecer esa ultima capacidad mucho mas grande de lo que es.
Imaginate lo siguiente... El mosfet esta apagado... La tension drain-source es de 200v. La tension gate-source es 0 volts. Ahora vamos a intentar prenderlo.. El IR empieza a mandar corriente al gate del mosfet... Eso empieza a cargar la capacidad gate-source. Al empezar a cargarse dicha capacidad, empieza a subir la tension gate-source. Llega un punto en que esa tension empieza a llegar a la tension en que el mosfet comienza a conducir (es decir, area lineal del mosfet, no esta saturado, sino que opera como si fuere una resistencia controlada por tension). Bueno, cuando llega a esa area, la tension drain-source empieza a caer... Se empieza a hacer mas chica, pero, como estamos en area lineal, no es 0. Al estar en area lineal , el mosfet disipa potencia. Pero existe esa capacidad drain-gate... Como la tension de drain cae en relacion a la de source, la tension drain-gate tambien deberia caer... Pero no pasa, al menos no instantaneamente, porque esta esa capacidad parasita drain-gate que fuerza a que la tension drain-gate se mantenga constante...
Entonces, si vos tenes que subir la tension de gate de 0 a 10 volts para prender totalmente el mosfet y que sature, y el mosfet conmuta una tension de 200v, Si lo quisieras hacer en forma instantanea, esos 200v quedarian aplicados en el gate, pero con signo opuesto.
La realidad, es que el circuito llega a un estado de equilibrio, por el cual, el IR provee una corriente de X amper para cargar la capacidad gate-source, y una corriente muy mucho mas grande para descargar la capacidad drain-gate. Y hay otra cosita mas, y es que la capacidad drain-gate es variable... Disminuye a medida que la tension de drain-gate disminuye.
Todo lo explicado arriba tambien se puede aplicar a cuando hay que apagar el mosfet.
Por eso es que es tan dificil calcular la resistencia de gate. Idealmente, lo mejor seria que no estuviera, pero suele ser necesaria, para demorar el encendido de uno de los mosfets, asi el otro tiene tiene tiempo de apagarse antes.
Como la resistencia demora el encendido, no a base de demorarlo en si, sino en hacer que tarde m´as tiempo desde que comienza a encenderse, hasta que se termina de saturar, la resistencia en el fondo hace que el mosfet disipe un poquito mas de potencia
Por eso la idea de reducirla.
La calibracion es sencilla. Con el amplificador sin carga (sin el parlante conectado), y sin señal de entrada de audio (a veces, hay que poner el dedo en la entrada de audio un ratito para que arranque, porque si no hay señal de audio, puede que no oscile inicialmente), y alimentado el amplificador a traves de un limitador de corriente (una lampara incandescente va bien, porque sin el parlante, el amplificador no consume casi nada,100mA o talvez mucho menos), hay que ir probando bajar las resistencias. Puedes poner un amperimetro para ver el consumo del amplificador... Lo que tendrias que ver es que de cierto valor para abajo de resistencia de gate, la corriente sube en forma muy notable. Si la corriente sube, te pasaste. Eso es todo. Usando el metodo de "divide y venceras" , solo son 2 o 3 pruebas a lo maximo (divide y venceras: Si con una resistencia no consume, bajala a la mitad, si no consume, bajala a la mitad, si no consume, bajala a la mitad. Si en un moneto empieza a consumir, el valor buscado esta entre la anterior y la actual. Prueba un valor intermedio... Enfin, de esa forma, puedes estimar con 3 o 4 pruebas el valor optimo)
Con mosfets chicos, no me sorprenderia para nada ver que la resistencia te de en el orden de 4.7 ohms. Con los IRFP250, capaz se pueda bajar un poco
Saludos
PD: Si aumenta la disipacion en los mosfets, disminuye el rendimiento, porque el calor "quemado" es energia que la fuente de alimentacion entrega, pero que no va al parlante... En consecuencia,
el rendimiento , que es potencia entregada al parlante dividido potencia entregada por la fuente, empeora
