Calcular la Resistencia de Base de un Transistor

[Don Plaquetin]

Y que en el caso del IGBT el MOSFET tenga una corriente de D-S de 30A
Y que la corriente de base del segundo transistor BJT sea máximo 5A. No sé dañaría?

Primero esta Vgd mayor que Vgs es decir el mosfet no se le manda 30V haber que pasa. segundo "lo que simboliza no es lo que tiene internamente". Si tu unes fisicamente 2 transistores no es lo mismo que un darlington ya integrado.

Esos esquemas son simplificados.
Cuando se incorporan "resistencias", son en general zonas de material semiconductor p que pueden formar parte del mismo transistor.

A esto me refería de que un simbolo no hace al componente fisicamente...

Mira la ganancia de un TIP127 y une 2 transistores haber si llegas.

 

[Arekus]

Esos esquemas son simplificados.
Cuando se incorporan "resistencias", son en general zonas de material semiconductor p que pueden formar parte del mismo transistor.


Un mosfet de 30A sería un desperdicio, pero aun asi, fijate que sería lo mismo que cortocircuitar base con colector --> el transistor conduce y la tensión CE cae, y si la corriente o la temperatura que levanta es excesiva se quema, pero no por corriente de base.


Ver las dos respuestas anteriores.

Si lo quisieras hacer discreto, la resistencia que sí o sí hay que poner es una entre base y emisor, de lo contrario cuando el mosfet vaya al corte, debido a la IDSS el transistor no podrá, además de demorar un par de siglos en salir de la saturación.

Tiene usted razón son circuitos simplificados. En verdad parecen llevar la R internamente.