Todo influye, por ejemplo, si el PNP tiene poca HFE (amplificación de corriente de 100 o menor) entonces si le exiges una salida de 1A, hay que reducir la resistencia de base del PNP para asegurar la saturación, pero entonces hay que asegurarse de que el NPN soporte la corriente de base del PNP (por ejemplo si exiges 1A, y el PNP tiene HFE de 20, el transistor NPN debe ser capaz de hacer pasar 50mA a su través saturándose, y eso puede exigir reducir de valor las resistencias del divisor de tensión sin variar el ratio, o bien poner un NPN de mayor ganancia. En general para transistores normales de ganancia 100 o mayor, el rango de valores del esquema serían adecuados.
Ahora, para el ajuste de los valores del divisor, hay que pensar que el NPN se activa entre 0.5 y 0.7V dependiendo del transistor, por lo que el divisor resistivo controla el punto de activación, y la resistencia de histeresis controla la diferencia de voltajes entre la activación y el corte, por ejemplo si la histeresis es 2V y el divisor de tensión activa el NPN con 18V, entonces se desactiva con 18-2=16V. Al conducir el PNP pone la salida al voltaje de la entrada, es decir, es como si la resistenci superior a la del divisor a la hora de calcular el corte de voltaje fuera el paralelo de ella con la de histeresis.
Edit: por cierto, el voltaje de histeresis depende inversamente del valor de dicha resistencia. A medida que aumentas dicha resistencia el voltaje de histeresis se reduce tendiendo a 0, pero si el voltaje de histeresis es muy pequeño la transición tiende a ser menos abrupta (aunque siempre será más abrupta que sin histeresis)