fredy, te recomiendo que para meterse de lleno en una fuente switching es escencial tener instrumental adecuado, no pido que tengas inductametro de presicion ni analizador de impedancias ni trazadores de curvas, simplemente un buen multimetro y un osciloscopio de 20mhz de ancho de banda, los mosfet te calientan por muchas razones, tiempo de rise / fall time de tension de compuerta, tension nominal de compuerta, avalancha, corriente de drain, etc, si tienes instrumental, debes medir (mediante shunt en serie con DRAIN) la forma de corriente de drain de cada mosfet, medir la forma de onda de la tension de gate/source de cada mosfet, y medir la tension drain/source de los mismos. lo ideal en un driveo de compuerta del mosfet es que el tiempo de subida sea lo mas corto posible sin que la tension de compuerta oscile, por otro lado, la tension de gate debe ser entre 12 y 15V para los mosfet comunes (hay mosfet que son con compuerta compatible TTL), para esto es escencial contar con un buen driver que entregue la mayor corriente pico posible, (recomiendo el IR2110/2113) las pistas que van entre los driver y los gate, asi como la conexión que va entre el retorno negativo del driver y el source del mosfet, lo mas cortas y rectas posible, para evitar inductancias y resistencias parasitas. las resistencias en serie con el gate de los mosfet depende del transistor que uses y de la cantidad en paralelo que coloques, estas, pueden ser entre 2.2ohm y 22 ohm para cada transistor, (aunque es primordial monitorear el tiempo de crecimiento de la tension de gate para cada valor de resistencia, en paralelo a esta resistencia recomiendo colocar un diodo tipo 1N4148 mirando hacia el driver, es decir con el catodo hacia el driver y el anodo hacia el gate, esto es para que en el momento de apagado el driver sea mas efectivo, en el encendido es necesario colocar la R para que la compuerta no oscile ya que si hacemos un circuito equivalente de un mosfet y su driver encontraremos que en serie con el gate tenemos una inductancia y en paralelo con el gate tenemos una capacidad, formando un circuito serie resonante.
para un periodo de 20uS y un Ton maximo de 10uS el tiempo de trepada de la tension de compuerta no debe ser superior a 200nS con toda la furia. y de 100 a 120nS para el momento del apagado.
por otro lado es altamente importante revisar que la tension de DRAIN/source sea menor a la tension de ruptura del transistor, no porque se queme instantaneamente, sino para bajar la disipacion por avalancha, los transistores mosfet entre drain y source cuando estan abiertos se comportan como un diodo zenner o de avalancha cuando la tension entre esos terminales llega a la tension de ruptura, consecuencia se empieza a cerrar el canal y comienzan a hacer pasar corriente, haciendo que calienten. para que esto no suceda es aconsejable poner transistores con un margen de tension suficiente para tolerar las tensiones que aparecen, y tambien recomiendo el uso de snubbers RC para minimizar los spike que aparezcan sobre el transistor, para que estos no entren en avalancha o lo hagan muy pero muy poco. (pulso de spike menor a 25nS) por ultimo revisar que el nucleo del transformador no entre en saturacion, midiendo la corriente que circula por los mosfet, para esto hay que insertar una R del menor valor posible y de la menor inductancia posible, ( resistores de metal film no inductivos) tipico para una fuente de 200W desde 220v, una R de 0.1ohm, colocaddos en serie con drain para poder medir con osciloscopio la forma de onda de la corriente. las corrientes del transistor de arriba y el de abajo en una fuente medio puente deben ser lo mas parecidas posible, esto depende del tiempo de conduccion de cada mosfet, los cuales deben ser identicos en tiempo, la forma de onda de corriente debe ser como un trapezoide, un flanco ascendente abrupto, una rampa ascendente, y cuando termina el ciclo caer a 0 abruptamente, s la rampa ascendente al final del ciclo comienza a irse para arriba es que esta satuandose el nucleo. y ahi habra que revisar las cuentas de como se calculo el transformador.