Un transistor está constituido por una pastilla de silicio sobre la cual se han depositado los materiales que constituyen sus elementos operantes: base, emisor, colector. Del espesor de los depósito, más el ancho físico de cada elemento, depende la capacidad de corriente que pue circular por ellos, en especial para Emisor, colector.
Para un mismo tamaño de pastilla, solo es necesario aumentar el espesor de los depósitos para llevarlos a una capacidad mayor de corriente posible. En un transistor 2N3055 se utilizaban pastillas de 10mm X 10 mm; para los 2N3055-E (Epitaxial Planar) 30mm X 30mm (esto en los que abrí que eran fabricados por SGS Ates - hoy ST). Desconozco el espesor de los depósitos. Ahora, si reducen la pastilla a 5mm X 5mm y duplican el espesor de los depósitos, el resultado final para el soporte de corriente, va a ser el mismo.
Todo el resto: Tab de anclaje, cápsula TO-3, etc., constituyen elementos de disipación de calor y están en función de que, a mayor grosor y mayor superficie, mayor disipación y mayor transferencia térmica hacia los disipadores externos.
Otro punto a tomar en cuenta: Las cápsulas; de las cuales, una TO-3 disipa más que una TO-220 y esta última disipa más que una SOT3-6... independientemente del la máxima Ic que puede manejar el componente.
