Simulación BMS en Proteus

[julspowel]

Hola de nuevo, he cambiado el voltaje de la base, sigue sin abrir el circuito de drenado.



Tenía entendido que la corriente que fluya por IC (led y R16) depende de IB corriente de s12. He estado jugando con la resistencia R14 para conseguir diferentes valores y no consigo cerrar el transistor. S12 esta a 50 Volts.
No deberian fluir los 8A de la bateria por el transistor?

La base de Q1, colocándole 5V, no esta a estado alto si en el colector hay poco mas de 49V y en el emisor 44V.

Tu referencia( 0 ) de alto a bajo para ese transistor es 44V de piso o sea la tensión de emisor.

Tuve en cuenta lo que dijiste y sigue sin funcionar.

 

[ricbevi]

El transistor con 49V en colector, 45V en la unión de la serie de baterías y 50V en la base con una R de 470R en serie desde el +50V, conduce aproximadamente 60 veces la corriente de base.

Ese transistor es de menos de un W y de 500mA de corriente máxima según la hoja de datos del fabricante...va a necesitar mas vidas que un gato para conducir/soportar 8A de corriente de colector

Tal vez deberías replantear tu esquema según lo que quieras hacer/haga tu circuito.

 

[julspowel]

El transistor con 49V en colector, 45V en la unión de la serie de baterías y 50V en la base con una R de 470R en serie desde el +50V, conduce aproximadamente 60 veces la corriente de base.

Ese transistor es de menos de un W y de 500mA de corriente máxima según la hoja de datos del fabricante...va a necesitar mas vidas que un gato para conducir/soportar 8A de corriente de colector

Tal vez deberías replantear tu esquema según lo que quieras hacer/haga tu circuito.

Ver el archivo adjunto 288320
Ver el archivo adjunto 288321

Y si utilizo un MOSFET de canal P? Si hay uno funcional en Proteus 8.10 claro...

Entiendo que estos son capaces de soportar mas de 8A dependiendo el modelo?

 

[julspowel]

He probado con el IRF4905


De estas gráficas entiendo que, ID depende de Vgs y de Vds en estado de transferencia.
He simulado con:
Vds de -4V
Vgs de -4V
Según la primera gráfica, con estos valores, ID deberia ser al menos de unos pocos amperios.
No consigo ver ningún resultado...

 

[J2C]

.


Disculpa @julspowel creo que no tienes NPI de electrónica y te lo digo con todo respeto


No te funciona nada por que estas usando un MosFet de Canal P !!!!!


Lee bien la datasheet y mira cuales son las polarizaciones de Gate y Drain respecto a Source. Además vuelve a leerlo.




Salu2.-


P.D:: Menos mal que usas un simulador, sino esto te explotaba en tu cara.

 

[ricbevi]

Para considerar a simple vista, supongamos por un momento que el transistor conduce de tal forma que su resistencia seria infinitamente pequeña y despreciemos los mA que circulan por la resistencia mas el led.

La resistencia de 33R de emisor quedaría en paralelo con la batería o sea circularía por ella 4V/33R = 0.12mA por lo tento en el mejor de los casos esa será la corriente que circule.

Por ende, no depende del tipo de TR usado y/o la condición de saturación/conducción.

Si haces un calculo rápido la resistencia debería ser de 4V/8A = 0.5R como máximo pero en la realidad debes sumarle la resistencia interna Rds-on del Mosfet ya que están en serie y dependerá de esta suma los Amperios que logres hacer circular.

Para prender el Mosfet y según el que elijas, deberá ser la tensión que le colocaras en el gate para que esta Rds-on sea lo mas baja posible. En el caso del IRFZ44 debe superar los 10V y estar por debajo de los 20V(leer la hoja de datos del componente en cuestión o seleccionado).




Si usas un Mosfet P como el que tenias en el listado se resume a esto pero cambia la lógica del disparo del mismo por algo así o parecido para lograr la tensión de conducción del Mosfet.



De esta forma independizas de la tensión de las baterías el punto de conducción.

 

[julspowel]

Para considerar a simple vista, supongamos por un momento que el transistor conduce de tal forma que su resistencia seria infinitamente pequeña y despreciemos los mA que circulan por la resistencia mas el led.

La resistencia de 33R de emisor quedaría en paralelo con la batería o sea circularía por ella 4V/33R = 0.12mA por lo tento en el mejor de los casos esa será la corriente que circule.

Por ende, no depende del tipo de TR usado y/o la condición de saturación/conducción.

Si haces un calculo rápido la resistencia debería ser de 4V/8A = 0.5R como máximo pero en la realidad debes sumarle la resistencia interna Rds-on del Mosfet ya que están en serie y dependerá de esta suma los Amperios que logres hacer circular.

Para prender el Mosfet y según el que elijas, deberá ser la tensión que le colocaras en el gate para que esta Rds-on sea lo mas baja posible. En el caso del IRFZ44 debe superar los 10V y estar por debajo de los 20V(leer la hoja de datos del componente en cuestión o seleccionado).

Ver el archivo adjunto 288401


Si usas un Mosfet P como el que tenias en el listado se resume a esto pero cambia la lógica del disparo del mismo por algo así o parecido para lograr la tensión de conducción del Mosfet.

Ver el archivo adjunto 288402

De esta forma independizas de la tensión de las baterías el punto de conducción.

Ver el archivo adjunto 288403

Muchas gracias por tu respuesta constructiva ricbevi,

He simulado tus propuestas y funcionan como has mencionado.

EL propósito de este circuito era de limitar el voltaje de una celda, por ejemplo BAT12.
Antes creía que para conseguir esto, tenía que conseguir reconducir los 8A de corriente de BAT12 por el transistor para evitar que se cargara.
Observando ahora el funcionamiento, veo que la corriente Id fluye en el mismo sentido que en la carga y las celdas por lo que se suman en BAT12 y da mas de 8A.
Ahora empiezo a pensar que simplemente teniendo una ID adecuada con R16 para conseguir un voltaje de 4V en Vds es suficiente para limitar la celda a 4V.

Asiq suponiendo que la celda se esta cargando y llega a 4V, pero no quiero que suba mas, simplemente con consguir un Vds de 4V ya seria suficiente?