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Exacto, con el diodo tenés un pico de corriente de apagado mayor, eso es justamente lo que permite que el mosfet se apague con mayor velocidad, reduciendo las perdidas por conmutación, pero a la vez las dv/dt y di/dt producen sus efectos desfavorables.
Dudo que sean totalmente necesarios esos diodos en este caso, así que hacé las pruebas sin los diodos en cada gate, sólo las Rs.
Te dejo un paper por si te interesa profundizar un poco esa teoría.
Naders, qué tensión tenés en la alimentación del IC?
Saludos
Mariano Estoy volviando a reenboninar el nucleo de esta fuente te pregunto a ver si estan bien los calculos para hacer bien las cosas ya que cambie de nucleo
Nucleo 40/27/12
Npri: (Tension max redDC/2)/(4*10^-8*Bmax*F/2*Ac)
Npri: (171v)/(4*10^-8*1500*50000*1.38)
Npri: 41 espiras