Tu proyecto es muy ambicioso pero interesante, tienes que leer, investigar y trabajar de lleno para hacerte la placa o circuito impreso.
Según datos de tu mosfet, este se alimenta de un máximo de 2.5w y 12.5v, es por eso que necesitas un pre amplificador de por lo menos 5w para que puedas bajarle, este preamplificador debe alimentarse con un exitador de 1w, me refiero al circuito que genera la frecuencia de trabajo o PLL y que comunmente entrega 1w
RD30HVF1 absolute maximum ratings: (1)VDSS Drain to source voltage Vgs=0V: 30 V; (2)VGSS Gate to source voltage Vds=0V: +/-20 V; (3)Pch Channel dissipation Tc=25℃: 75 W; (4)Pin Input power Zg=Zl=50Ω: 2.5 W; (5)ID Drain current: 7 A; (6)Tch Channel temperature: 175 ℃; (7)Tstg Storage temperature: -40 to +175 ℃; (8)Rth j-c Thermal resistance junction to case: 2.0 ℃/W.
Features
RD30HVF1 features: (1)High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz; (2)High Efficiency: 60%typ.
Aquí te dejo una dirección de un video que te muestra un circuito de ese transistor.
Según datos de tu mosfet, este se alimenta de un máximo de 2.5w y 12.5v, es por eso que necesitas un pre amplificador de por lo menos 5w para que puedas bajarle, este preamplificador debe alimentarse con un exitador de 1w, me refiero al circuito que genera la frecuencia de trabajo o PLL y que comunmente entrega 1w
RD30HVF1 absolute maximum ratings: (1)VDSS Drain to source voltage Vgs=0V: 30 V; (2)VGSS Gate to source voltage Vds=0V: +/-20 V; (3)Pch Channel dissipation Tc=25℃: 75 W; (4)Pin Input power Zg=Zl=50Ω: 2.5 W; (5)ID Drain current: 7 A; (6)Tch Channel temperature: 175 ℃; (7)Tstg Storage temperature: -40 to +175 ℃; (8)Rth j-c Thermal resistance junction to case: 2.0 ℃/W.
Features
RD30HVF1 features: (1)High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz; (2)High Efficiency: 60%typ.
Aquí te dejo una dirección de un video que te muestra un circuito de ese transistor.